Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 180 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 171-2499
- Herst. Teile-Nr.:
- TK100S04N1L
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.345
Auf Lager
- 3'495 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 1.869 | CHF 9.33 |
| 25 - 95 | CHF 1.606 | CHF 8.01 |
| 100 - 995 | CHF 1.404 | CHF 7.01 |
| 1000 + | CHF 1.242 | CHF 6.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-2499
- Herst. Teile-Nr.:
- TK100S04N1L
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 180W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.5mm | |
| Breite | 7mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 180W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.5mm | ||
Breite 7mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- JP
Anwendungsbereich
Kfz
Schaltspannungsregler
Motortreiber
Merkmale
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 1,9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 1,5 bis 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)
Verwandte Links
- Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 180 W, 3-Pin TO-252
- Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 25 W, 3-Pin TO-252
- Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 88 W, 3-Pin TO-252
- Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 65 A 107 W, 3-Pin TO-252
- Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 10 μA 55 W, 3-Pin TO-252
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5.4 A 60 W, 3-Pin TO-252
- Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 11.5 A 100 W, 3-Pin TO-252
- Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 5.8 A 60 W, 3-Pin TO-252