Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 180 W, 3-Pin TK100S04N1L TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
TK100S04N1L
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

180W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

76nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.5mm

Breite

7 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
JP
Anwendungsbereich

Kfz

Schaltspannungsregler

Motortreiber

Merkmale

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 1,9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)

Verbesserungsmodus: Vth = 1,5 bis 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)

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