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    Toshiba TK8S06K3L N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 25 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Voraussichtlich ab 18.03.2025 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.

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    RS Best.-Nr.:
    171-2429
    Herst. Teile-Nr.:
    TK8S06K3L
    Marke:
    Toshiba

    RoHS Status: Ausgenommen

    Ursprungsland:
    JP
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.8 A
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    GehäusegrößeDPAK (TO-252)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.80 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.3V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.25 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.±20 V
    Länge6.5mm
    Breite7mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs10 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    AutomobilstandardAEC-Q101
    Diodendurchschlagsspannung1.2V
    Höhe2.3mm