Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024
Aufgrund geplanter Wartungsarbeiten wird unsere Website von Freitag 21. Juni, 21:00 Uhr, bis Sonntag 23. Juni, 23:00 Uhr, nicht verfügbar sein. Bitte entschuldigen Sie etwaige Unannehmlichkeiten.
Aufgrund geplanter Wartungsarbeiten wird unsere Website von Freitag 21. Juni, 21:00 Uhr, bis Sonntag 23. Juni, 23:00 Uhr, nicht verfügbar sein. Bitte entschuldigen Sie etwaige Unannehmlichkeiten.
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2000)
CHF.0.326
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
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2000 + | CHF.0.326 | CHF.644.70 |
*Bitte VPE beachten
RoHS Status: Ausgenommen
Eigenschaft | Wert |
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Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 8 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 80 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 25 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Länge | 6.5mm |
Breite | 7mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Höhe | 2.3mm |