Toshiba TK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5.4 A 60 W, 3-Pin TK5P60W,RVQ(S TO-252

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RS Best.-Nr.:
896-2644
Herst. Teile-Nr.:
TK5P60W,RVQ(S
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

TK

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Länge

6.6mm

Breite

7.18 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

MOSFET-Transistoren, Toshiba


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