Teile-Nr.

Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,7 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 896-2640
Herst. Teile-Nr.:: TK10P60W,RVQ(S
Marke:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,7 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 896-2640
Herst. Teile-Nr.:: TK10P60W,RVQ(S
Marke:: Toshiba

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	9,7 A
	Drain-Source-Spannung max.	600 V
	Serie	TK
	Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	430 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
	Verlustleistung max.	80 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Transistor-Werkstoff	Si
	Breite	7.18mm
	Länge	6.6mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	20 nC @ 10 V
	Höhe	2.3mm

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 9,7 A
	Drain-Source-Spannung max. 600 V
	Serie TK
	Gehäusegröße DPAK (TO-252)
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 430 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 3.7V
	Verlustleistung max. 80 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Transistor-Werkstoff Si
	Breite 7.18mm
	Länge 6.6mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 20 nC @ 10 V
	Höhe 2.3mm

Ursprungsland:: CN

MOSFET-Transistoren, Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,7 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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