Teile-Nr.

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS

RS Best.-Nr.:: 827-6151
Herst. Teile-Nr.:: TK20A60W,S5VX(M
Marke:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS

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RS Best.-Nr.:: 827-6151
Herst. Teile-Nr.:: TK20A60W,S5VX(M
Marke:: Toshiba

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	20 A
	Drain-Source-Spannung max.	600 V
	Gehäusegröße	TO-220SIS
	Serie	TK
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	155 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
	Verlustleistung max.	45 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Länge	10mm
	Transistor-Werkstoff	Si
	Breite	4.5mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	48 nC @ 10 V
	Höhe	15mm

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 20 A
	Drain-Source-Spannung max. 600 V
	Gehäusegröße TO-220SIS
	Serie TK
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 155 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 3.7V
	Verlustleistung max. 45 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Länge 10mm
	Transistor-Werkstoff Si
	Breite 4.5mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 48 nC @ 10 V
	Höhe 15mm

Ursprungsland:: MY

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS

MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba

MOSFET-Transistoren, Toshiba

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