Toshiba Diskreter IGBT / 20 A, 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 168-7764
- Herst. Teile-Nr.:
- GT20J341
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 168-7764
- Herst. Teile-Nr.:
- GT20J341
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | Diskreter IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 20A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Gehäusegröße | TO-220SIS | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 100kHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±25 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | GT20J341 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ Diskreter IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 20A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Gehäusegröße TO-220SIS | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 100kHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±25 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie GT20J341 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
IGBTs, diskret, Toshiba
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
- Toshiba IGBT / 15 A ±25V max., 600 V 30 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
- Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
- Toshiba IGBT / 60 A ±25V max., 600 V, 3-Pin TO-3PLH N-Kanal
- Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 42 A ±25V max., 1200 V, 3-Pin TO-3PN N-Kanal
- Toshiba IGBT / 40 A ±25V max., 1200 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal