Toshiba IGBT / 60 A ±25V max., 600 V, 3-Pin TO-3PLH N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 184-521
- Herst. Teile-Nr.:
- GT60J323(Q)
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 184-521
- Herst. Teile-Nr.:
- GT60J323(Q)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±25V | |
| Gehäusegröße | TO-3PLH | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 20.5 x 5.2 x 26mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±25V | ||
Gehäusegröße TO-3PLH | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 20.5 x 5.2 x 26mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
- Ursprungsland:
- JP
IGBTs, diskret, Toshiba
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Toshiba IGBT / 42 A ±25V max., 1200 V, 3-Pin TO-3PN N-Kanal
- Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
- Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 15 A ±25V max., 600 V 30 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
- Toshiba IGBT / 40 A ±25V max., 1200 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 600 V 600 W, 3-Pin TO-247AB N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±25V max., 1200 V 220 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal