Toshiba IGBT / 15 A, 600 V 30 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 796-5046
- Herst. Teile-Nr.:
- GT15J341
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 796-5046
- Herst. Teile-Nr.:
- GT15J341
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 15A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Gehäusegröße | TO-220SIS | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 100kHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 15A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Gehäusegröße TO-220SIS | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 100kHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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