Toshiba TK090N65Z Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 230 W, 3-Pin TK090N65Z,S1F(S TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 206-9725
- Herst. Teile-Nr.:
- TK090N65Z,S1F(S
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 30 + | CHF.5.775 | CHF.173.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-9725
- Herst. Teile-Nr.:
- TK090N65Z,S1F(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | TK090N65Z | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 15.94 mm | |
| Länge | 40.02mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie TK090N65Z | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 15.94 mm | ||
Länge 40.02mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit geringerer Kapazität. Er wird hauptsächlich in Schaltnetzteilen verwendet.
Niedriger Durchlasswiderstand der Drain-Quelle 0,075?
Lagertemperatur: -55 bis 150 °C.