Toshiba TK099V65Z Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 230 W, 5-Pin DFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
206-9729
Herst. Teile-Nr.:
TK099V65Z,LQ(S
Marke:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

TK099V65Z

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

8 mm

Höhe

0.5mm

Länge

8mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit geringerer Kapazität. Er wird hauptsächlich in Schaltnetzteilen verwendet.

Niedriger Durchlasswiderstand der Quelle 0,08?

Lagertemperatur: -55 bis 150 °C.

Verwandte Links