Toshiba TK099V65Z Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 230 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 206-9730
- Herst. Teile-Nr.:
- TK099V65Z,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 206-9730
- Herst. Teile-Nr.:
- TK099V65Z,LQ(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | TK099V65Z | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 47nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.5mm | |
| Länge | 8mm | |
| Breite | 8 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie TK099V65Z | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 47nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.5mm | ||
Länge 8mm | ||
Breite 8 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit geringerer Kapazität. Er wird hauptsächlich in Schaltnetzteilen verwendet.
Niedriger Durchlasswiderstand der Quelle 0,08?
Lagertemperatur: -55 bis 150 °C.
Verwandte Links
- Toshiba TK099V65Z Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 230 W, 5-Pin DFN
- Toshiba TK090N65Z Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 230 W, 3-Pin TO-247
- Toshiba Einfach U-MOSVIII-H Typ N-Kanal 1 MOSFET Erweiterung, 8-Pin TSON
- Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 30.8 A 240 W, 5-Pin DFN
- Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON
- Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 38 A 24 W, 8-Pin SOP
- Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 34 W, 8-Pin SOP
- Toshiba U-MOSVIII-H Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 32 A 21 W, 8-Pin SOP