Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 30.8 A 240 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 171-2526
- Herst. Teile-Nr.:
- TK31V60W5
- Marke:
- Toshiba
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|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.6.504 | CHF.13.00 |
| 10 - 98 | CHF.5.838 | CHF.11.69 |
| 100 - 498 | CHF.5.323 | CHF.10.65 |
| 500 - 998 | CHF.4.868 | CHF.9.75 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-2526
- Herst. Teile-Nr.:
- TK31V60W5
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 109mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 105nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Länge | 8mm | |
| Breite | 8 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 109mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.85mm | ||
Länge 8mm | ||
Breite 8 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Schaltspannungsregler
Schnelle Sperrverzögerung: TRR = 135 ns (typ.)
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 0,087 Ω (typ.)
Einfach zu steuerndes Gate-Switching
Verbesserungsmodus: Vth = 3 bis 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)
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