Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 30.8 A 240 W, 5-Pin DFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.13.524

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8CHF.6.762CHF.13.51
10 - 98CHF.6.069CHF.12.15
100 - 498CHF.5.534CHF.11.07
500 - 998CHF.5.061CHF.10.13
1000 +CHF.4.662CHF.9.34

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-2526
Herst. Teile-Nr.:
TK31V60W5
Marke:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

109mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

105nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

8 mm

Länge

8mm

Höhe

0.85mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Schaltspannungsregler

Schnelle Sperrverzögerung: TRR = 135 ns (typ.)

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 0,087 Ω (typ.)

Einfach zu steuerndes Gate-Switching

Verbesserungsmodus: Vth = 3 bis 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)

Verwandte Links