Nexperia N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 600 mA 4.03 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 151-3178
- Herst. Teile-Nr.:
- PMDXB600UNEZ
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 151-3178
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- PMDXB600UNEZ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 600mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4.03W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 400μm | |
| Länge | 1.15mm | |
| Breite | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 600mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4.03W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 400μm | ||
Länge 1.15mm | ||
Breite 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFETs ≤ 20 V. Holen Sie sich die optimalen Schaltlösungen für Ihre tragbaren Designs. Wählen Sie aus einer breiten Palette von ein- und zweikanaligen N-Kanal-MOSFETs bis zu 20 V. Hohe Zuverlässigkeit durch unsere bewährten TrenchMOS- und Gehäusetechnologien. Unsere einfach zu bedienenden Niederspannungs-MOSFETs wurden speziell für die Anforderungen tragbarer Anwendungen mit niedrigen Antriebsspannungen entwickelt.
Duales N-Kanal-Trench-MOSFET (20 V), duales N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kabellosen ultrakleinen DFN1010D-6 (SOT1216)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-TechnologieUltrakleines und ultraflaches drahtloses SMD-Kunststoffgehäuse: 1,1 x 1,0 x 0,37 mmFreiliegender Ableitungs-Pad für hervorragende WärmeleitungSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 1 kV HBMDurchlasswiderstand der Entwässerungsquelle im eingeschalteten Zustand RDSon = 470 mΩ
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