Nexperia Einfach N-Kanal 1, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 3.2 A 8.33 W, 4-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 153-1890
- Herst. Teile-Nr.:
- PMXB43UNEZ
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 153-1890
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- PMXB43UNEZ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 8.33W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 1.15mm | |
| Höhe | 0.36mm | |
| Breite | 1.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 8.33W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 1.15mm | ||
Höhe 0.36mm | ||
Breite 1.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
N-Kanal-MOSFETs ≤ 20 V, Holen Sie sich die optimalen Schaltlösungen für Ihre tragbaren Designs, Wählen Sie aus einer Vielzahl von Einfach- und Zweifach-N-Kanal-MOSFETs bis zu 20 V. Große Zuverlässigkeit dank unserer vertrauenswürdigen TrenchMOS- und Gehäusetechnologien. Unsere einfach zu bedienenden Niederspannungs-MOSFETs wurden speziell für die Anforderungen von tragbaren Anwendungen mit niedrigen Antriebsspannungen entwickelt.
20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET, N-Kanal-Field-Effect-Transistor (FET) im Verstärkungsmodus in einem leitungslosen, ultrakleinen DFN1010D-3 (SOT1215) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-Technologie
Kabelloses ultrakleines und dünnes SMD-Kunststoffgehäuse: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Belichtetes Ablasspad für ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit
Sehr niedriger Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand RDSon = 42 mΩ
1 kV ESD-geschützt
Tiefseitiger Lastschalter und Ladeschalter für tragbare Geräte
Stromverwaltung in batteriebetriebenen tragbaren Geräten
LED-Treiber
DC/DC-Wandler
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