Teile-Nr.

Nexperia PMPB11EN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9 A 12.5 W, 8-Pin DFN

RS Best.-Nr.:: 165-9801
Herst. Teile-Nr.:: PMPB11EN,115
Marke:: Nexperia

Nexperia PMPB11EN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9 A 12.5 W, 8-Pin DFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.504.00

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3000 +	CHF.0.168	CHF.510.30

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RS Best.-Nr.:: 165-9801
Herst. Teile-Nr.:: PMPB11EN,115
Marke:: Nexperia

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	9A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	DFN
	Serie	PMPB11EN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	14.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	12.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	13.7nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	2.1mm
	Höhe	0.65mm
	Breite	2.1 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße DFN
	Serie PMPB11EN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 12.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.7nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 2.1mm
	Höhe 0.65mm
	Breite 2.1 mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Nexperia PMPB11EN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9 A 12.5 W, 8-Pin DFN

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

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