Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -2.9 A 8.33 W, 4-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 153-1936
- Herst. Teile-Nr.:
- PMXB75UPEZ
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 153-1936
- Herst. Teile-Nr.:
- PMXB75UPEZ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -2.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 8.33W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.05 mm | |
| Länge | 1.15mm | |
| Höhe | 0.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -2.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 8.33W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.05 mm | ||
Länge 1.15mm | ||
Höhe 0.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal Trench-MOSFET für 20 V, P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010D-3 (SOT1215) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-Technologie
Extrem kleines und ultradünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 1,5 kV HBM
Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle RDSon = 69 Ω
Sehr niedrige Gate-Quelle-Schwellenspannung für mobile Anwendungen VGS(th) = –0,68 V
High-Side-Lastschalter und Ladeschalter für tragbare Geräte
Stromüberwachung in batteriebetriebenen mobilen Geräten
LED-Treiber
DC/DC-Wandler
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