Nexperia Doppelt Trench MOSFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET -20 V Erweiterung / 500 mA 4025 mW, 8-Pin DFN

RS Best.-Nr.:: 152-8344
Herst. Teile-Nr.:: PMDXB950UPELZ
Marke:: Nexperia

Nexperia Doppelt Trench MOSFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET -20 V Erweiterung / 500 mA 4025 mW, 8-Pin DFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Marke:: Nexperia

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Produkt Typ	Trench-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	500mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-20V
	Gehäusegröße	DFN
	Serie	Trench MOSFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.5Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	150°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	1.19nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Maximale Verlustleistung Pd	4025mW
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur	-55°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.05 mm
	Höhe	0.36mm
	Länge	1.15mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Produkt Typ Trench-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 500mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. -20V
	Gehäusegröße DFN
	Serie Trench MOSFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. 150°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.19nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Maximale Verlustleistung Pd 4025mW
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur -55°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.05 mm
	Höhe 0.36mm
	Länge 1.15mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

P-Kanal-MOSFETs sind die perfekte Lösung für Ihre Konstruktion, wenn N-Kanäle einfach nicht geeignet sind. Unser umfangreicher MOSFET-Katalog enthält auch viele P-Kanal-Gerätefamilien, die auf der führenden Trench-Technologie von Nexperia basieren. Mit Nennspannungen von 12 V bis 70 V und in Niedrig- und Mittelspannungsgehäusen untergebracht bieten sie unsere gewohnte Mischung aus hoher Effizienz und Zuverlässigkeit.

Zweifach-P-Kanal Trench-MOSFET für 20 V, Zweifach-P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.

Niedriger Leckstrom

Trench MOSFET-Technologie

Extrem kleines und ultradünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung

Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 1 kV HBM

Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle RDSon = 1,02 Ω

Relaistreiber

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

High-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

Nexperia Doppelt Trench MOSFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET -20 V Erweiterung / 500 mA 4025 mW, 8-Pin DFN

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