Nexperia Doppelt NX3020NAKS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET 30 V Erweiterung / 180 mA 1.1 W, 6-Pin TSSOP

RS Best.-Nr.:: 170-5396
Herst. Teile-Nr.:: NX3020NAKS,115
Marke:: Nexperia

Nexperia Doppelt NX3020NAKS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET 30 V Erweiterung / 180 mA 1.1 W, 6-Pin TSSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 170-5396
Herst. Teile-Nr.:: NX3020NAKS,115
Marke:: Nexperia

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Produkt Typ	Trench-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	TSSOP
	Serie	NX3020NAKS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	13Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.26nC
	Betriebstemperatur min.	150°C
	Maximale Verlustleistung Pd	1.1W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur	-55°C
	Breite	1.35 mm
	Länge	2.2mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Produkt Typ Trench-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße TSSOP
	Serie NX3020NAKS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 13Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.26nC
	Betriebstemperatur min. 150°C
	Maximale Verlustleistung Pd 1.1W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur -55°C
	Breite 1.35 mm
	Länge 2.2mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Flipflops sind einfache Speicherelemente in der digitalen Elektronik. Flipflops ermöglichen eine Änderung des Ausgangs bei einem Flankenwechsel und bieten eine robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Mit einer Auswahl von Optionen mit Auslösung an der positiven oder der negativen Flanke sorgen sie für zusätzliche Entwurfsflexibilität.

Zweifach-N-Kanal Halbleiter-Feldeffekttransistor Enhancement Mode (FET) in einem extrem kleinen SOT363 (SC-88) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET Technologie.

Sehr schnelle Schaltung

Trench MOSFET-Technologie

ESD-Schutz

Niedrige Schwellenspannung

Anwendungsbereiche

Relaistreiber

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

Low-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

Nexperia Doppelt NX3020NAKS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET 30 V Erweiterung / 180 mA 1.1 W, 6-Pin TSSOP

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