Nexperia Doppelt Trench MOSFET N-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET 60 V Erweiterung / 260 mA 4032 mW, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 153-0730
- Herst. Teile-Nr.:
- NX7002BKXBZ
- Marke:
- Nexperia
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- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Trench-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 260mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.7Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4032mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 360μm | |
| Länge | 1.15mm | |
| Breite | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Trench-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 260mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.7Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4032mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 360μm | ||
Länge 1.15mm | ||
Breite 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFETs, 40 V – 60 V, MOSFETs mit Logik- und Standardpegel in einer Vielzahl von Gehäusen. Entdecken Sie unsere robusten und einfach zu verwenden MOSFETs im Bereich von 40 V bis 60 V, die Teil unseres massiven Portfolios von MOSFET-Bauelementen sind. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltperformance und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA).
Zweifach-N-Kanal Trench-MOSFET für 60 V, Zweifach-N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.
Kompatibel mit Logik-Ebene
Extrem kleines und ultradünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Trench MOSFET-Technologie
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen
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