Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 860 mA 410 mW, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 166-0612
- Herst. Teile-Nr.:
- PMGD290XN,115
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.285.00
Auf Lager
- 3’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.095 | CHF.270.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-0612
- Herst. Teile-Nr.:
- PMGD290XN,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 860mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 350mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.72nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 410mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 860mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 350mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.72nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 410mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.35 mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Zweifach-N-Kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Verwandte Links
- Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 860 mA 410 mW, 6-Pin SC-88
- Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 350 mA 445 mW, 6-Pin SC-88
- Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 320 mA 320 mW, 6-Pin SC-88
- Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 870 mA 400 mW, 6-Pin SC-88
- Nexperia Einfach Trench MOSFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 320 mA 420 mW, 6-Pin SC-88
- Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 445 mW, 6-Pin SC-88
- Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung / 160 mA 320 mW, 6-Pin SC-88
- Nexperia Doppelt NX3008CBKS Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET 30 V Erweiterung / 350 mA 990 mW, 6-Pin SC-88