Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 445 mW, 6-Pin SC-88

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*

CHF.13.15

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 700 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
  • Zusätzlich 5’850 Einheit(en) mit Versand ab 13. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 +CHF.0.263CHF.13.02

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
781-6701
Herst. Teile-Nr.:
2N7002BKS,115
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SC-88

Serie

Trench MOSFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.5nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

445mW

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Höhe

1mm

Breite

1.35 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY

Zweifach-N-Kanal MOSFET, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


Verwandte Links