Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 870 mA 400 mW, 6-Pin SC-88

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.285.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 09. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.095CHF.270.90

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
166-0609
Herst. Teile-Nr.:
PMGD280UN,115
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

870mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

Trench MOSFET

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

340mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.89nC

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.83V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Länge

2.2mm

Breite

1.35 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Zweifach-N-Kanal MOSFET, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


Verwandte Links