Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 870 mA 400 mW, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 725-8329
- Herst. Teile-Nr.:
- PMGD280UN,115
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 725-8329
- Herst. Teile-Nr.:
- PMGD280UN,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 870mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 340mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.89nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 400mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 870mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 340mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.89nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 400mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Zweifach-N-Kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
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