Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung / 160 mA 320 mW, 6-Pin SC-88

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792-0917
Herst. Teile-Nr.:
BSS84AKS,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

160mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Serie

Trench MOSFET

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

320mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.26nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Höhe

1mm

Breite

1.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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