Nexperia Doppelt Trench MOSFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET -20 V Erweiterung / 500 mA 4025 mW, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 152-7150
- Herst. Teile-Nr.:
- PMDXB950UPELZ
- Marke:
- Nexperia
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- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Trench-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 500mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.19nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4025mW | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.15mm | |
| Breite | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.36mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Trench-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 500mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.19nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4025mW | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.15mm | ||
Breite 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.36mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-MOSFETs sind die perfekte Lösung für Ihre Konstruktion, wenn N-Kanäle einfach nicht geeignet sind. Unser umfangreicher MOSFET-Katalog enthält auch viele P-Kanal-Gerätefamilien, die auf der führenden Trench-Technologie von Nexperia basieren. Mit Nennspannungen von 12 V bis 70 V und in Niedrig- und Mittelspannungsgehäusen untergebracht bieten sie unsere gewohnte Mischung aus hoher Effizienz und Zuverlässigkeit.
Zweifach-P-Kanal Trench-MOSFET für 20 V, Zweifach-P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.
Niedriger Leckstrom
Trench MOSFET-Technologie
Extrem kleines und ultradünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 1 kV HBM
Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle RDSon = 1,02 Ω
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
High-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen
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