Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -12 V / -3.2 A 8.33 W, 4-Pin DFN

RS Best.-Nr.:: 151-3036
Herst. Teile-Nr.:: PMXB65UPEZ
Marke:: Nexperia

Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -12 V / -3.2 A 8.33 W, 4-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:: 151-3036
Herst. Teile-Nr.:: PMXB65UPEZ
Marke:: Nexperia

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-3.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-12V
	Gehäusegröße	DFN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	880mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6.7nC
	Maximale Verlustleistung Pd	8.33W
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	1.15mm
	Höhe	0.36mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.05 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -3.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -12V
	Gehäusegröße DFN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 880mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.7nC
	Maximale Verlustleistung Pd 8.33W
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 1.15mm
	Höhe 0.36mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.05 mm
	Automobilstandard Nein

P-Kanal-MOSFETs sind die perfekte Lösung für Ihre Konstruktion, wenn N-Kanäle einfach nicht geeignet sind. Unser umfangreicher MOSFET-Katalog enthält auch viele P-Kanal-Gerätefamilien, die auf der führenden Trench-Technologie von Nexperia basieren. Mit Nennspannungen von 12 V bis 70 V und in Niedrig- und Mittelspannungsgehäusen untergebracht bieten sie unsere gewohnte Mischung aus hoher Effizienz und Zuverlässigkeit.

N-Kanal-Trench-MOSFET (12 V), P-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem drahtlosen ultrakleinen DFN1010D-3 (SOT1215)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-TechnologieUltrakleines und ultraflaches drahtloses SMD-Kunststoffgehäuse: 1,1 x 1,0 x 0,37 mmFreiliegender Ableitungs-Pad für hervorragende WärmeleitungSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 1,5 kV HBMWiderstand der Entwässerungsquelle im eingeschalteten Zustand RDSon = 59 mΩSehr niedrige Gate-Source-Schwellspannung für portable Anwendungen VGS(th) = –0,68 V

Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -12 V / -3.2 A 8.33 W, 4-Pin DFN

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