Nexperia PMPB11EN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9 A 12.5 W, 8-Pin PMPB11EN,115 DFN
- RS Best.-Nr.:
- 798-2779
- Herst. Teile-Nr.:
- PMPB11EN,115
- Marke:
- Nexperia
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- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | PMPB11EN | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 12.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.65mm | |
| Breite | 2.1 mm | |
| Länge | 2.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie PMPB11EN | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 12.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.65mm | ||
Breite 2.1 mm | ||
Länge 2.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
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