Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 600 mA 4.03 W, 8-Pin DFN

RS Best.-Nr.:: 151-3049
Herst. Teile-Nr.:: PMDXB600UNEZ
Marke:: Nexperia

Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 600 mA 4.03 W, 8-Pin DFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 151-3049
Herst. Teile-Nr.:: PMDXB600UNEZ
Marke:: Nexperia

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	600mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	DFN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	4.03W
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.4nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	0.4mm
	Breite	1.05 mm
	Länge	1.15mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 600mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße DFN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 4.03W
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.4nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 0.4mm
	Breite 1.05 mm
	Länge 1.15mm
	Automobilstandard Nein

N-Kanal-MOSFETs ≤ 20 V. Holen Sie sich die optimalen Schaltlösungen für Ihre tragbaren Designs. Wählen Sie aus einer breiten Palette von ein- und zweikanaligen N-Kanal-MOSFETs bis zu 20 V. Hohe Zuverlässigkeit durch unsere bewährten TrenchMOS- und Gehäusetechnologien. Unsere einfach zu bedienenden Niederspannungs-MOSFETs wurden speziell für die Anforderungen tragbarer Anwendungen mit niedrigen Antriebsspannungen entwickelt.

Duales N-Kanal-Trench-MOSFET (20 V), duales N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kabellosen ultrakleinen DFN1010D-6 (SOT1216)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-TechnologieUltrakleines und ultraflaches drahtloses SMD-Kunststoffgehäuse: 1,1 x 1,0 x 0,37 mmFreiliegender Ableitungs-Pad für hervorragende WärmeleitungSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 1 kV HBMDurchlasswiderstand der Entwässerungsquelle im eingeschalteten Zustand RDSon = 470 mΩ

Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 600 mA 4.03 W, 8-Pin DFN

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