Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 906-4485P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD025N06NATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 90 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD025N06NATMA1
Dieser N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET ist ein Leistungstransistor, der für oberflächenmontierte Elektronik entwickelt wurde, die robuste Schalt- und Leitungen bei mittleren Spannungswerten erfordert. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Hochstromanwendungen vorgesehen, bei denen geringe Leitungsverluste und eine moderate Gate-Ansteuerung erforderlich sind. Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die automatisierte Montage auf stark belegten Boards geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 3.8 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für höhere Effizienz
• 90 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht Mittelspannungsdesigns
• Typische Gate-Ladung von 71 nC minimiert den Energiebedarf des Antriebs
• Maximale Verlustleistung von 167 W ermöglicht eine erhöhte Leistungsaufnahme
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannen
• 90 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht Mittelspannungsdesigns
• Typische Gate-Ladung von 71 nC minimiert den Energiebedarf des Antriebs
• Maximale Verlustleistung von 167 W ermöglicht eine erhöhte Leistungsaufnahme
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannen
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrücken in industriellen Steuerungen
• Einsatz mit Batteriemanagementsystemen, die hohe Stromstärken erfordern
• Kann für die DC/DC-Umwandlung in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für Leistungsstufen in Server- oder Speicherelektronik
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrücken in industriellen Steuerungen
• Einsatz mit Batteriemanagementsystemen, die hohe Stromstärken erfordern
• Kann für die DC/DC-Umwandlung in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für Leistungsstufen in Server- oder Speicherelektronik
Welchen Temperaturbereich hält das Gerät im Betrieb aus?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich für widrige thermische Umgebungen.
Wie ist es für die Montage und Kühlung verpackt?
Die Komponente wird in einem oberflächenmontierbaren TO-252 (DPAK)-Gehäuse geliefert, das für die Montage auf Lötplatten und die Wärmeübertragung auf Kühlkörper entwickelt wurde.
Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich berücksichtigen?
Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten
Antriebsstromkreise sollten so dimensioniert sein, dass sie die typische Gate-Ladung von 71 nC für die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten liefern.
Wie wirkt sich der Kanaltyp auf das Schaltverhalten aus?
Als N-Kanal-Verbesserungsgerät erfordert es eine positive Gate-Spannung für die Leitung und bietet einen geringen Einschaltwiderstand für effiziente Hochstrompfade.