Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A 156 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
188-4873
Herst. Teile-Nr.:
SIHD186N60EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

19 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

201 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

156 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Breite

6.22mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.73mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

21 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.25mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Technologie der 4. Generation der E-Serie
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
ANWENDUNGEN
Server- und Telekommunikations-Netzteile
Schaltnetzteile (SNT)
Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)