Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 210-4970
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- SIHB15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 304mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 9.65mm | |
| Länge | 14.61mm | |
| Höhe | 4.06mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 304mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 9.65mm | ||
Länge 14.61mm | ||
Höhe 4.06mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 13 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB15N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalter für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und ist so konstruiert, dass er erhöhte Spannungen und thermische Lasten in anspruchsvollen elektronischen Systemen bewältigen kann und gleichzeitig die RoHS-Umgebungsanforderungen erfüllt.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 13 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 304 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmemanagement
• Die typische Gate-Ladung von 35 nC unterstützt die vorhersehbare Gate-Drive-Grösse
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannungen
• 13 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 304 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmemanagement
• Die typische Gate-Ladung von 35 nC unterstützt die vorhersehbare Gate-Drive-Grösse
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Wird für Hochspannungsnetzteile und Wandler verwendet
• Geeignet für industrielle Motorantriebsstufen
• Ideal für Primärschalter mit Schaltnetzteil
• Kann für Schweiß- oder Plasma-Leistungssteuerungsmodule verwendet werden
• Wird mit Hochspannungswechselrichtern in industriellen Geräten verwendet
• Geeignet für industrielle Motorantriebsstufen
• Ideal für Primärschalter mit Schaltnetzteil
• Kann für Schweiß- oder Plasma-Leistungssteuerungsmodule verwendet werden
• Wird mit Hochspannungswechselrichtern in industriellen Geräten verwendet
Welche Gehäusetypen sollten für das Wärmemanagement auf Leiterplatten in Betracht gezogen werden?
Er wird in einem TO-263-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das einen flachen Thermopfad zu Leiterplattenkupfer für die Wärmeableitung bietet.
Wie verhält sich das Gerät bei extremen Temperaturen?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Kaltstart- und Hochtemperaturumgebungen.
Welche Gate-Drive-Einschränkungen müssen von Konstrukteuren beachtet werden?
Das Gate darf ±30 V bezogen auf die Quelle nicht überschreiten, um Schäden am Gate-Oxid zu vermeiden und eine zuverlässige Schaltung zu gewährleisten.
Welche Vorwärtsleitungscharakteristik ist bei der Leitung von Gehäusedioden vorhanden?
Die intrinsische Diode weist eine Durchlassspannung von ca. 1,2 V auf, wenn sie unter Verpolungsbedingungen leitet.
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