Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 210-4970
Herst. Teile-Nr.:: SIHB15N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: SIHB15N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	13A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	800V
	Serie	E
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	304mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	35nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Verlustleistung Pd	156W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	4.06mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	14.61mm
	Breite	9.65mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 800V
	Serie E
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 304mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Verlustleistung Pd 156W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 4.06mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 14.61mm
	Breite 9.65mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHB15N80AE

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 13 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB15N80AE-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in der Industrieelektronik vorgesehen ist. Er ist für die Oberflächenmontage in TO-263-Gehäusen konzipiert und arbeitet über einen breiten thermischen Bereich für anspruchsvolle Anwendungen, bei denen eine robuste Spannungsführung und eine kompakte Montage erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 800 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 13 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 304 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste während des Betriebs • 35 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effiziente Schaltsteuerung • Maximale Gate-Ansteuerung von 30 V für gängige Gate-Ansteuerungsspannungen • Die Verlustleistung von 156 W verbessert die thermische Handhabung unter Last

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebsstufen in Automatisierungssystemen • Ideal für Stromversorgungen, die kompakte Schalter für die Oberflächenmontage erfordern • Wird für industrielle Wechselrichter- und Wandler-Schaltfunktionen verwendet • Kann für Hochspannungsschutz und Klemmschaltungen verwendet werden

In welchem Temperaturbereich kann er betrieben werden?

Es funktioniert von -55 °C bis zu einer maximalen Sperrschichttemperatur von 150 °C für Hochtemperaturumgebungen.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?

Es wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten vorgesehen ist.

Welche Gate-Treiber-Einschränkungen sollten Entwickler beachten?

Das Gerät darf eine Gate-to-Source-Spannung von 30 V nicht überschreiten, um Gate-Spannungen zu vermeiden.

Wie wirkt sich die Verlustleistung auf das thermische Design aus?

Die Nennleistung von 156 W führt den Kühlkörper und die Verteilung des Leiterplattenkupfers, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb der Grenzen zu halten.

Welche Pin-Konfiguration wird bereitgestellt?

Die Komponente bietet eine dreipolige Anordnung, die mit Standard-Leistungs-MOSFET-Layouts kompatibel ist.