Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 210-4983
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF 2.04 | CHF 50.90 |
| 50 - 100 | CHF 1.919 | CHF 47.85 |
| 125 + | CHF 1.727 | CHF 43.28 |
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- RS Best.-Nr.:
- 210-4983
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 304mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 28.6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 15.5mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 304mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 28.6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 15.5mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 156 W maximale Verlustleistung – SIHG15N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schaltgerät, das für die Durchsteckmontage in Leistungsumwandlungs- und industriellen Steuerungsumgebungen entwickelt wurde. Es handelt sich um einen N-Kanal-Verbesserungstyp, der für hohe Drain-Source-Potentiale bei Betrieb über einen breiten Temperaturbereich ausgelegt ist, wodurch er sich für anspruchsvolle thermische und elektrische Bedingungen eignet, bei denen eine robuste Hochspannungsschaltung erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Drain-Source-Festigkeit für Hochspannungsschaltfähigkeit
• 13 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 304 mΩ Rds(on), um Leitungsverluste zu reduzieren
• Maximale Verlustleistung von 156 W für höhere Leistungsleistung
• 35 nC typische Gate-Ladung für effiziente Schaltsteuerung
• 30-V-Gate-Wert für Kompatibilität mit gängigen Treiberschaltkreisen
• 13 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 304 mΩ Rds(on), um Leitungsverluste zu reduzieren
• Maximale Verlustleistung von 156 W für höhere Leistungsleistung
• 35 nC typische Gate-Ladung für effiziente Schaltsteuerung
• 30-V-Gate-Wert für Kompatibilität mit gängigen Treiberschaltkreisen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Stromwandler und Wechselrichter
• Wird für Hochspannungs-Motorantriebsstufen verwendet
• Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Umgebungen
• Kann für Hochspannungsprüfungen und Schutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für die robuste Durchsteckmontage in Schalttafeln
• Wird für Hochspannungs-Motorantriebsstufen verwendet
• Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Umgebungen
• Kann für Hochspannungsprüfungen und Schutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für die robuste Durchsteckmontage in Schalttafeln
In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für raue thermische Umgebungen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird für die Montage verwendet?
Das Gerät wird in einem TO-247AC-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage konfiguriert ist.
Wie wirkt sich seine Gate-Charakteristik auf die Schaltleistung aus?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 35 nC benötigt das Gerät mäßige Antriebsenergie und gleicht Schaltgeschwindigkeit und Treiberanforderungen aus.
Wie ist das Durchlassspannungsverhalten während der Leitung zu erwarten?
Die Durchlassspannung ist auf 1,2 V angegeben, was auf den Leitungsabfall bei Durchlassvorspannung hinweist.
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