Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 225-9913
Herst. Teile-Nr.:: SIHG15N80AEF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin TO-247AC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 225-9913
Herst. Teile-Nr.:: SIHG15N80AEF-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	13A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	800V
	Gehäusegröße	TO-247AC
	Serie	EF
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	350mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	53nC
	Maximale Verlustleistung Pd	156W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	10.41mm
	Länge	6.73mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	2.39mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 800V
	Gehäusegröße TO-247AC
	Serie EF
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 350mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC
	Maximale Verlustleistung Pd 156W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 10.41mm
	Länge 6.73mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 2.39mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHG15N80AEF-GE3

Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 13 A Drain-Strom – SIHG15N80AEF-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Silizium-N-Kanal-Transistor, der für Hochspannungsschaltung und Leistungsumwandlung in industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, die eine robuste Handhabung der Drain-to-Source-Spannung und erhöhte Betriebstemperaturen erfordern, wodurch er sich für anspruchsvolle elektrische und mechanische Steuerungssysteme eignet.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 800 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 13 A Dauerstrom unterstützt einen erheblichen Lastantrieb • 350 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden • 53 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltsteuerung • Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung • Maximale Gate-Spannung von 30 V schützt Gate-Drive-Schaltkreise

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungswechselrichter in Automatisierungssystemen • Ideal für Stromversorgungen in industriellen Steuergeräten • Wird für das Schalten von Motorantrieben in elektrischen Baugruppen verwendet • Kann für Snubber- und Klemmenetzwerke in der Leistungselektronik verwendet werden

In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?

Es funktioniert in einem breiten Bereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in unterschiedlichen thermischen Umgebungen.

Wie ist es für die Montage auf Baugruppen verpackt?

Es wird in einem TO‐247AC-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage mit drei Anschlussstiften konfiguriert ist.

Welche Gate-Antriebsaspekte sind für das Schalten relevant?

Das Gate muss innerhalb von ±30 V betrieben werden und so groß sein, dass es eine typische Ladung von 53 nC für kontrollierte Schaltübergänge verarbeiten kann.

Wie verwaltet das Gerät die Leistung unter Last?

Er kann bei ordnungsgemäßer Kühlung bis zu 156 W ableiten und ermöglicht so einen kontinuierlichen Betrieb mit Nennstrom und ausreichendem Wärmemanagement.