Vishay EF N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A 156 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 200-6819
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP186N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 200-6819
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP186N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 193mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.65mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.52mm | |
| Höhe | 14.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 193mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.65mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.52mm | ||
Höhe 14.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 18 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP186N60EF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor mit Verstärkungsmodus, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in Durchsteckmontagen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und erfüllt RoHS-Umgebungsbeschränkungen, wodurch er sich für anspruchsvolle thermische und regulatorische Umgebungen eignet, in denen ein robustes 650-V-Schaltgerät erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 18 A Dauerstrom unterstützen ein hohes Lastverhalten
• 193 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• 156 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Gate-Ladung von 32 nC ermöglicht eine effiziente Schaltsteuerung
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht Kompatibilität mit gängigen Treibern
• 18 A Dauerstrom unterstützen ein hohes Lastverhalten
• 193 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• 156 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Gate-Ladung von 32 nC ermöglicht eine effiziente Schaltsteuerung
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht Kompatibilität mit gängigen Treibern
Anwendungen
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen
• Geeignet für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit Wechselrichter-Frontend-Schaltkreisen verwendet, die 650-V-Geräte erfordern
• Kann für Halbleiterrelais verwendet werden, die mit mittleren Strömen arbeiten
• Geeignet für die Leistungsfaktorkorrektur und EMI-anfällige Systeme
• Geeignet für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit Wechselrichter-Frontend-Schaltkreisen verwendet, die 650-V-Geräte erfordern
• Kann für Halbleiterrelais verwendet werden, die mit mittleren Strömen arbeiten
• Geeignet für die Leistungsfaktorkorrektur und EMI-anfällige Systeme
Welche Verpackungs- und Montageverfahren sind erforderlich?
Er wird in einem TO-220AB-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage konfiguriert ist und eine einfache Kühlkörper- und Schalttafelbefestigung ermöglicht.
Wie verhält es sich bei extremen Temperaturen?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen, ohne die angegebene Spannungsklasse zu beeinträchtigen.
Welche Überlegungen sind erforderlich bei der Gate-Ansteuerung?
Die maximale Gate-Source-Nennspannung beträgt 30 V und die typische Gesamt-Gate-Ladung beträgt 32 nC, sodass Gate-Treiber ausreichend Spitzenstrom für gezielte Schaltgeschwindigkeiten liefern sollten, ohne 30 V zu überschreiten.
Ist er für die Automobilelektronik geeignet?
Er ist nicht nach Automobilstandards klassifiziert
Bei der Auswahl sollten branchenspezifische Qualifikationen berücksichtigt werden, bei denen eine Zulassung der Fahrzeugklasse erforderlich ist.
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