Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A 156 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 200-6819
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP186N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIHP186N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 193mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 14.4mm | |
| Länge | 10.52mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 193mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 14.4mm | ||
Länge 10.52mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 18 A Drain-Strom – SIHP186N60EF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schaltgerät, das für anspruchsvolle Leistungs-Elektronik-Rollen in industriellen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert als N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor zur Steuerung von Hochspannungs-Gleichstromlasten und Schaltstufen und ist für die Durchsteckmontage in Geräten vorgesehen, bei denen eine robuste Leitfähigkeit und thermische Handhabung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Ableiterspannung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 18 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 193 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Typische Gate-Ladung von 32 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Maximale Verlustleistung von 156 W hilft bei der Wahl des thermischen Designs
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Antriebsspannungsbereiche
• 18 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 193 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Typische Gate-Ladung von 32 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Maximale Verlustleistung von 156 W hilft bei der Wahl des thermischen Designs
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Antriebsspannungsbereiche
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungswechselrichter-Frontenden in industriellen Antrieben
• Ideal für Schaltnetzteile, die erhöhte Gleichstrom-Bus-Spannungen verarbeiten
• Wird für diskrete Leistungsstufen in Automatisierungs- und Motorsteuerungsgeräten verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Stromverteilungsmodulen verwendet werden
• Ideal für Schaltnetzteile, die erhöhte Gleichstrom-Bus-Spannungen verarbeiten
• Wird für diskrete Leistungsstufen in Automatisierungs- und Motorsteuerungsgeräten verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Stromverteilungsmodulen verwendet werden
Welchem Betriebstemperaturbereich kann er standhalten?
Es arbeitet von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in unterschiedlichen thermischen Umgebungen und Anwendungen mit erhöhten Temperaturen.
Wie ist das Gerät für die Montage in Geräten vorgesehen?
Es wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung mit drei Stiften geliefert, das für eine sichere Leiterplattenmontage und einfache Kühlkörperoptionen geeignet ist.
Wie hoch ist die zu erwartende Gate-Antriebscharakteristik für das Schaltkonzept?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 32 nC unter Nennbedingungen können Konstrukteure die Gate-Antriebsenergie schätzen und geeignete Treiber für Zielschaltgeschwindigkeiten auswählen.
Welche mechanischen Fußabmessungen sollten berücksichtigt werden?
Das Gehäuse zeichnet sich durch kompakte Außenabmessungen mit einem moderaten Profil aus, was die Integration erleichtert, wenn vertikales Spiel und Platinenhalterung Faktoren sind.
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