Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 29 A 208 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 200-6795
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHP105N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.4.725 | CHF.23.63 |
| 25 - 45 | CHF.4.253 | CHF.21.27 |
| 50 - 120 | CHF.4.022 | CHF.20.09 |
| 125 - 245 | CHF.3.78 | CHF.18.90 |
| 250 + | CHF.3.539 | CHF.17.71 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 200-6795
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHP105N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | EF | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 88mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 14.4mm | |
| Länge | 10.52mm | |
| Breite | 4.65 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie EF | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 88mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 14.4mm | ||
Länge 10.52mm | ||
Breite 4.65 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay SiHP105N60EF-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.
Technologie der 4. Generation der E-Serie
Niedrige Leistungszahl
Niedrige effektive Kapazität
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
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