Vishay EF N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 29 A 208 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 200-6795
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHP105N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 4.545 | CHF 22.73 |
| 25 - 45 | CHF 4.091 | CHF 20.46 |
| 50 - 120 | CHF 3.868 | CHF 19.32 |
| 125 - 245 | CHF 3.636 | CHF 18.18 |
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- RS Best.-Nr.:
- 200-6795
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHP105N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 88mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 14.4mm | |
| Länge | 10.52mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 88mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 14.4mm | ||
Länge 10.52mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 29 A kontinuierlicher Drain-Strom – SiHP105N60EF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät, das für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Steuerungsfunktionen in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert wird und für hohe Spannungen und anhaltende Ströme ausgelegt ist, während er über einen breiten Temperaturbereich arbeitet.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• Die kontinuierliche Ablassleistung von 29 A unterstützt erhebliche Lastströme
• Maximale Verlustleistung von 208 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• 88 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste unter Nennbedingungen
• Die typische Gate-Ladung von 53 nC optimiert die Schaltenergie- und Antriebsanforderungen
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• Die kontinuierliche Ablassleistung von 29 A unterstützt erhebliche Lastströme
• Maximale Verlustleistung von 208 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• 88 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste unter Nennbedingungen
• Die typische Gate-Ladung von 53 nC optimiert die Schaltenergie- und Antriebsanforderungen
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
Anwendungen
• Geeignet für SMPS-Schaltstufen auf der Primärseite
• Ideal für industrielle Motor-Frequenzumrichterabschnitte
• Wird für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen verwendet
• Kann für elektronische Last- und Leistungsprüfgeräte verwendet werden
• Einsatz mit diskreten Schaltertopologien bei der Leistungsfaktorkorrektur
• Ideal für industrielle Motor-Frequenzumrichterabschnitte
• Wird für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen verwendet
• Kann für elektronische Last- und Leistungsprüfgeräte verwendet werden
• Einsatz mit diskreten Schaltertopologien bei der Leistungsfaktorkorrektur
Welchen thermischen Extremen kann er im Betrieb standhalten?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl in Kaltstartumgebungen als auch in Anlagen mit erhöhter Temperatur.
Wie wird es montiert und in ein Leiterplatten-Design integriert?
Es verwendet ein durchkontaktiertes TO-220AB-Gehäuse mit drei Stiften und einer Befestigungslasche für die Kühlkörper, was eine einfache Befestigung der Leiterplatte und ein Wärmemanagement über einen an der Lasche befestigten Kühlkörper ermöglicht.
Welche Überlegungen sollten bei Gate-Antrieben beachtet werden?
Die maximale Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 30 V
Die Gate-Drive-Spannungen sollten innerhalb dieser Grenze gehalten und auf die typische Gate-Ladung von 53 nC abgestimmt werden, um ein effizientes Schalten zu gewährleisten, ohne das Gate zu überlasten.
Welche Durchlassspannungscharakteristik ist während der Leitung relevant?
Die Durchlassspannung beträgt 1,2 V, was Leitungsverlustberechnungen in Niederspannungsstrompfaden und Leistungsbewertungen von Gehäuse-Dioden informiert.
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