Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 210-4992
Herst. Teile-Nr.:: SIHP15N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.7.775

Auf Lager

895 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 +	CHF.1.555	CHF.7.76

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 210-4992
Herst. Teile-Nr.:: SIHP15N80AE-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	13A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	800V
	Serie	E
	Gehäusegröße	JEDEC TO-220AB
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	304mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	53nC
	Maximale Verlustleistung Pd	156W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	9.96mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	27.69mm
	Höhe	4.24mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 800V
	Serie E
	Gehäusegröße JEDEC TO-220AB
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 304mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC
	Maximale Verlustleistung Pd 156W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 9.96mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 27.69mm
	Höhe 4.24mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHP15N80AE

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 800 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 13 A – SIHP15N80AE-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er ist für die Durchsteckmontage in einem TO-220AB-Gehäuse ausgelegt und unterstützt anspruchsvolle thermische und elektrische Umgebungen und bietet ein Gleichgewicht zwischen Spannungstoleranz und Stromverarbeitung für den Einsatz in Controllern, Wandlern und Leistungsstufen.

Merkmale und Vorteile:

• Die Drain-Source-Spannung von 800 V ermöglicht Hochspannungs-Schaltanwendungen • 13 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • Der Einschaltwiderstand von 304 mΩ minimiert die Leitungsverluste • Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht einen erheblichen thermischen Durchsatz • 53 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik • 30-V-Gate-Source-Grenze gewährleistet eine robuste Gate-Treiber-Marge

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontenden • Wird für Primärschalter mit Schaltnetzteil verwendet • Kann für Leistungsfaktorkorrekturstufen verwendet werden • Wird mit Gate-Treibern in Wechselrichter-Designs mit mittlerer Leistung verwendet

In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?

Es funktioniert über -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in einem breiten Spektrum von Umgebungs- und erhöhten Betriebstemperaturen.

Welche Montageart ist für die Montage erforderlich?

Er ist für die Durchsteckmontage auf einer Leiterplatte mit dem TO-220AB-Gehäuse und seinen drei Stiften vorgesehen.

Welche Überlegungen sollten bei Gate-Antrieben beachtet werden?

Halten Sie den Gate-Antrieb innerhalb von ±30 V maximal und berücksichtigen Sie die typische Gate-Ladung von 53 nC, wenn Sie den Treiberstrom für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit dimensionieren.

Wie sollte das Wärmemanagement für einen zuverlässigen Betrieb behandelt werden?

Verwenden Sie einen geeigneten Kühlkörper oder eine thermische Schnittstelle, um die Sperrschichttemperaturen unter den Bemessungsgrenzwerten zu halten, da die Verlustleistung von 156 W und die anwendungsspezifischen Arbeitszyklen.