Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 210-4992
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 304mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.24mm | |
| Breite | 9.96mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 27.69mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 304mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.24mm | ||
Breite 9.96mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 27.69mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 800 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 13 A – SIHP15N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er ist für die Durchsteckmontage in einem TO-220AB-Gehäuse ausgelegt und unterstützt anspruchsvolle thermische und elektrische Umgebungen und bietet ein Gleichgewicht zwischen Spannungstoleranz und Stromverarbeitung für den Einsatz in Controllern, Wandlern und Leistungsstufen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Drain-Source-Spannung von 800 V ermöglicht Hochspannungs-Schaltanwendungen • 13 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • Der Einschaltwiderstand von 304 mΩ minimiert die Leitungsverluste • Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht einen erheblichen thermischen Durchsatz • 53 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltdynamik • 30-V-Gate-Source-Grenze gewährleistet eine robuste Gate-Treiber-Marge
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontenden • Wird für Primärschalter mit Schaltnetzteil verwendet • Kann für Leistungsfaktorkorrekturstufen verwendet werden • Wird mit Gate-Treibern in Wechselrichter-Designs mit mittlerer Leistung verwendet
In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?
Es funktioniert über -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in einem breiten Spektrum von Umgebungs- und erhöhten Betriebstemperaturen.
Welche Montageart ist für die Montage erforderlich?
Er ist für die Durchsteckmontage auf einer Leiterplatte mit dem TO-220AB-Gehäuse und seinen drei Stiften vorgesehen.
Welche Überlegungen sollten bei Gate-Antrieben beachtet werden?
Halten Sie den Gate-Antrieb innerhalb von ±30 V maximal und berücksichtigen Sie die typische Gate-Ladung von 53 nC, wenn Sie den Treiberstrom für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit dimensionieren.
Wie sollte das Wärmemanagement für einen zuverlässigen Betrieb behandelt werden?
Verwenden Sie einen geeigneten Kühlkörper oder eine thermische Schnittstelle, um die Sperrschichttemperaturen unter den Bemessungsgrenzwerten zu halten, da die Verlustleistung von 156 W und die anwendungsspezifischen Arbeitszyklen.
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