Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 210-4984
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 210-4984
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 304mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 28.6mm | |
| Breite | 15.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 304mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 28.6mm | ||
Breite 15.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 13 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHG15N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für industrielle und Leistungsumwandlungsfunktionen entwickelt wurde, bei denen eine robuste Drain-Source-Blocking erforderlich ist. Es arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät in einem TO-247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und eignet sich für diskrete Leistungsstufen und Nachrüstungsdesigns, die eine abnehmbare Stromversorgungskomponente erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltfähigkeit • 13 A kontinuierlicher Ablassstrom für konstanten Lastbetrieb • 304 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden • Typische Gate-Ladung von 35 nC ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen • Die Verlustleistung von 156 W unterstützt einen erhöhten Leistungsdurchsatz • Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Frontends in Automatisierungssystemen • Ideal für Hochspannungsnetzteile und DC/DC-Wandler • Wird für Soft-Switching-Stufen in der Forschung in der Leistungselektronik verwendet • Kann für Prototypen- und Reparaturaufgaben verwendet werden, die eine Durchsteckmontage erfordern
Welchen Temperaturbereich verträgt er während des Betriebs?
Es funktioniert in einem Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen.
Welche Montageart ist für die Implementierung der Leiterplatte erforderlich?
Das Gerät ist für die Durchsteckmontage in einer TO-247AC-Grundfläche vorgesehen, was eine robuste mechanische Befestigung und die Integration von Kühlkörpern ermöglicht.
Wie viele elektrische Verbindungen bietet es an der Platine?
Drei Pins bieten Drain-, Gate- und Quellenanschlüsse, die mit herkömmlichen Transistor-Layouts übereinstimmen.
Welche Gate-Drive-Bedenken sollten Entwickler beachten?
Die Entwickler sollten sicherstellen, dass die Amplituden des Gate-Antriebs 30 V nicht überschreiten und die typische Gate-Ladung von 35 nC bei der Dimensionierung der Treiberströme berücksichtigen.
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