Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 158 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 210-4969
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.84.85
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.697 | CHF.85.04 |
| 100 - 200 | CHF.1.364 | CHF.68.02 |
| 250 + | CHF.1.192 | CHF.59.54 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-4969
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB15N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 304mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 158W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.06mm | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 14.61mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 304mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 158W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.06mm | ||
Breite 9.65 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 14.61mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über ein D2PAK-Gehäuse (TO-263) mit 13 A Ableitstrom.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 158 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 136 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 156 W, 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-263