Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 179 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 210-4971
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB17N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 210-4971
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB17N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 14.61mm | |
| Breite | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.06mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 14.61mm | ||
Breite 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.06mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 15 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB17N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor und wird in einem TO-263-Gehäuse für die Oberflächenmontage für den Einsatz auf belegten Leiterplatten geliefert. Die Komponente ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Ablass-Quellenspannung und ein kompaktes Wärmemanagement erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 15 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 250 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 179 W unterstützt die thermische Stabilität
• 41 nC typische Gate-Ladung sorgt für schnellere Schaltübergänge
• Vgs-Grenzwert von 30 V schützt das Gate vor Überspannung
• 15 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 250 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 179 W unterstützt die thermische Stabilität
• 41 nC typische Gate-Ladung sorgt für schnellere Schaltübergänge
• Vgs-Grenzwert von 30 V schützt das Gate vor Überspannung
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-SMPS-Schaltung auf der Primärseite
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Stufenumschaltung
• Wird für Power-Factor-Correction-Front-End-Wandler verwendet
• Kann für Wechselrichter- und USV-Hochspannungsabschnitte verwendet werden
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Stufenumschaltung
• Wird für Power-Factor-Correction-Front-End-Wandler verwendet
• Kann für Wechselrichter- und USV-Hochspannungsabschnitte verwendet werden
In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?
Es funktioniert unter extremen Umgebungsbedingungen von -55 °C bis zu einer maximalen Betriebstemperatur von 150 °C und eignet sich für Umgebungen mit erhöhten Temperaturen.
Wie viele elektrische Verbindungen bietet es an der Leiterplatte?
Das Gerät bietet drei elektrische Pins, die mit der gängigen MOSFET-Topologie für Drain-, Gate- und Quellenanschlüsse übereinstimmen.
Welche Verpackungsaspekte beeinflussen die Wärmeableitung?
Das oberflächenmontierbare TO-263-Gehäuse bietet einen flachen thermischen Pfad zur Leiterplatte und ist für die Befestigung an einem Kupfergrund in geeigneter Größe zur Wärmeverteilung vorgesehen.
Ist es für Kfz-konforme Designs geeignet?
Es ist nicht als konform mit dem Automobilstandard spezifiziert und sollte entsprechend für Fahrzeuganwendungen bewertet werden.
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