Teile-Nr.

Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 228-2843
Herst. Teile-Nr.:: SIHB120N60E-T5-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Nicht verfügbar

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RS Best.-Nr.:: 228-2843
Herst. Teile-Nr.:: SIHB120N60E-T5-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	E
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	120mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	179W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	30nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie E
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 179W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHB120N60E-T5-GE3

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263

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