Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 228-2845
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB120N60E-T5-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 228-2845
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB120N60E-T5-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SIHB21N80AE N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 88 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay E Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 88 A 179 W, 4-Pin TO-247AD
- Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 147 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHB125N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263