Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 204-7245
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB125N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 3000 + | CHF 1.939 | CHF 5'805.48 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-7245
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB125N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 14.61mm | |
| Höhe | 4.06mm | |
| Breite | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie EF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 14.61mm | ||
Höhe 4.06mm | ||
Breite 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 25 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB125N60EF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen ein robuster Ablassstrom und eine thermische Handhabung erforderlich sind. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und ist für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in industrieller und gewerblicher Elektronik vorgesehen. Das Gerät wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das mit der Oberflächenmontage kompatibel ist und den RoHS-Beschränkungen entspricht.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Leistung
• 125 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• Eine typische Gate-Ladung von 31 nC ermöglicht eine effiziente Gate-Drive-Timing
• Vgs max. 30 V liefert eine breite Gate-Treiber-Spanne für die Steuerung
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Leistung
• 125 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• Eine typische Gate-Ladung von 31 nC ermöglicht eine effiziente Gate-Drive-Timing
• Vgs max. 30 V liefert eine breite Gate-Treiber-Spanne für die Steuerung
Anwendungen
• Geeignet für primärseitige SMPS-Schalter in Hochspannungsversorgungen
• Ideal für Leistungsfaktorkorrekturstufen, die eine hohe Spannung erfordern
• Wird mit Motorantriebs-Frontenden verwendet, die erhöhte Spannungen bewältigen
• Kann für Inverter-Beinschalter in industriellen Umrichtern verwendet werden
• Geeignet für LED-Treiber, die eine hohe Schaltleistung benötigen
• Ideal für Leistungsfaktorkorrekturstufen, die eine hohe Spannung erfordern
• Wird mit Motorantriebs-Frontenden verwendet, die erhöhte Spannungen bewältigen
• Kann für Inverter-Beinschalter in industriellen Umrichtern verwendet werden
• Geeignet für LED-Treiber, die eine hohe Schaltleistung benötigen
Welchen extremen Temperaturen kann das Gerät im Betrieb standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen.
Wie viele elektrische Verbindungen bietet das Gehäuse?
Das Gerät verfügt über eine Drei-Pin-Konfiguration, die für gängige MOSFET-Topologien und Leiterplatten-Layouts geeignet ist.
Ist dieses Gerät für Qualifizierungsprogramme im Automobilbereich geeignet?
Es ist nicht als Kfz-Standardkomponente ausgewiesen und verfügt nicht über eine explizite Kfz-Zulassung.
Welche Befestigungsmethode ist für thermische und mechanische Stabilität erforderlich?
Sie ist für die Oberflächenmontage im TO-263-Format vorgesehen, was die Wärmeübertragung zu den Leiterplatten-Kupferbereichen erleichtert.
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