Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 204-7246
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB125N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.24.14
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 02. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.4.828 | CHF.24.12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-7246
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB125N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 9.65mm | |
| Höhe | 4.06mm | |
| Länge | 14.61mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie EF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 9.65mm | ||
Höhe 4.06mm | ||
Länge 14.61mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 25 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB125N60EF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Es ist für den Einsatz auf Oberflächenmontage an Stromversorgungen vorgesehen, bei denen eine robuste Spannungsverarbeitung und eine erhöhte Temperaturtoleranz erforderlich sind, und unterstützt Anwendungen, die hohe Spannungen und erhebliche Ströme in Automatisierungs- und elektrischen Systemen schalten.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit • 25 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 125 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • Typische Gate-Ladung von 31 nC minimiert den Energiebedarf des Antriebs • Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C unterstützt Umgebungen mit hohen Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungswechselrichterstufen in industriellen Antrieben • Ideal für Netzteile, die eine hohe Durchschlagsspannung erfordern • Wird mit Motorsteuerungen verwendet, die Dutzende Ampere verarbeiten • Kann zum Austausch von Relais bei Halbleiterschaltvorgängen verwendet werden • Wird für die Stromumwandlung in Automatisierungsgeräten verwendet
Welcher Gate-Spannungsbereich ist für das Schalten des Geräts sicher?
Das Gerät nimmt Gate-Spannungen bis zu 30 V auf und gibt das maximal zulässige Gate-to-Source-Potential für einen zuverlässigen Betrieb an.
Wie wirkt sich die Wahl des Gehäuses auf die thermische Leistung aus?
Das TO-263-Gehäuse bietet ein großes Wärmeleitpad und Leitungen für die Wärmeleitung, wodurch die Wärmeübertragung auf Leiterplattenkupfer und Kühlkörper unterstützt wird, um die Nennverlustleistung zu unterstützen.
Was sind die Umweltgrenzwerte für den Betrieb?
Die Komponente ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C spezifiziert und definiert die zulässigen Umgebungs- und Sperrschicht-Extreme für Entwurfsmargen.
Wie viele Stifte sind für das Leiterplatten-Layout verfügbar?
Das Teil verwendet drei Stifte, die die Grundfläche und die Anschlussanordnungen für Drain, Source und Gate auf der Leiterplatte bestimmen.
Verwandte Links
- Vishay SiHB125N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHB22N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SIHB21N80AE N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHP22N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-220