Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 653-175
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB155N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 653-175
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB155N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.159Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.79mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 9.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie EF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.159Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.79mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 9.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 600 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 21 A – SIHB155N60EF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Leistungsumwandlung und -steuerung in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor, der für die Durchsteckmontage geeignet ist, und ist für Anwendungen vorgesehen, die ein robustes Schalten bei erhöhten Spannungen und Strömen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 21 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine erhebliche Lastverarbeitung • 0,159 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste für einen effizienten Betrieb • Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht ein dauerhaftes Thermallastmanagement • 25 nC typische Gate-Ladung erleichtert schnelle Schaltübergänge • Maximale Gate-Toleranz von 30 V ermöglicht gängige Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile in Automatisierungsanlagen • Ideal für Motorantriebsstufen, die durchkontaktierte Komponenten erfordern • Verwendet für industrielle Schaltnetzteile mit hoher Verlustleistung • Kann für Leistungsumwandlungsmodule in elektrischen Systemen verwendet werden • Geeignet für Prototypen und wartungsfähige Installationen, die Durchsteckteile benötigen
Welche Montageaspekte gelten für das Wärmemanagement?
Das Gerät verwendet ein TO-263-Gehäuse mit Durchgangsbohrung, das von einem erheblichen Kühlkörper oder einer Leiterplatten-Kupferfläche profitiert, um unter geeigneten Kühlbedingungen bis zu 179 W abzuleiten.
Wie beeinflusst die Gate-Ladung das Gate-Drive-Design?
Eine typische Gate-Ladung von 25 nC bei Nenn-Gate-Antrieb wirkt sich auf Schaltverluste aus und bestimmt die Treiberstromfähigkeit für die gewünschten Anstiegs- und Abfallzeiten.
Welcher Temperaturbereich ist während des Betriebs zu erwarten?
Die Komponente ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C spezifiziert, was ein geeignetes thermisches Design erfordert, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb der Grenzen zu halten.
Gibt es Einschränkungen für die Gate-Spannung während des Gebrauchs?
Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, um Gate-Oxidbelastungen zu vermeiden und langfristige Zuverlässigkeit zu gewährleisten.
Welche elektrischen Eigenschaften beeinflussen die Effizienz von Stromversorgungen?
Die Kombination aus niedrigem Rds(on) und der 600-V-Ablassfähigkeit reduziert Leitungs- und Schaltverluste in Hochspannungswandlertopologien.
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