Vishay SIHG N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 279-9912
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG155N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF 9.90
Auf Lager
- 464 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | CHF 4.949 | CHF 9.89 |
| 4 - 8 | CHF 4.848 | CHF 9.70 |
| 10 - 28 | CHF 4.747 | CHF 9.49 |
| 30 - 98 | CHF 4.646 | CHF 9.29 |
| 100 + | CHF 4.484 | CHF 8.96 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9912
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG155N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SIHG | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.159Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SIHG | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.159Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie SIHG von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 600 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 21 A – SIHG155N60EF-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für die Leistungsumwandlung und -steuerung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät für die Durchsteckmontage in einem TO-247AC-Gehäuse und bietet eine robuste elektrische Leistung über einen breiten Temperaturbereich für Industrie- und Laborumgebungen.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 21 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen einen erheblichen Lastantrieb
• Niedrige Rds(on) von 0.159 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Typische Gate-Ladung von 38 nC verbessert die Steuerung der Schaltgeschwindigkeit
• 30 V Gate-Source-Grenzwert gewährleistet Kompatibilität mit gängigen Antriebsspannungen
• 21 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen einen erheblichen Lastantrieb
• Niedrige Rds(on) von 0.159 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Typische Gate-Ladung von 38 nC verbessert die Steuerung der Schaltgeschwindigkeit
• 30 V Gate-Source-Grenzwert gewährleistet Kompatibilität mit gängigen Antriebsspannungen
Anwendungen
• Geeignet für Schaltnetzteile in Industrieanlagen
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebe und Wechselrichter
• Wird für Leistungsfaktorkorrekturmodule in großen Systemen verwendet
• Kann für Schaltstufen mit Audioverstärkung mit hoher Leistung verwendet werden
• Geeignet für das Prototyping von Laborstromelektronik
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebe und Wechselrichter
• Wird für Leistungsfaktorkorrekturmodule in großen Systemen verwendet
• Kann für Schaltstufen mit Audioverstärkung mit hoher Leistung verwendet werden
• Geeignet für das Prototyping von Laborstromelektronik
Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?
Es funktioniert zwischen -55 °C und 150 °C und unterstützt sowohl die Prüfung bei niedrigen Temperaturen als auch bei erhöhten thermischen Bedingungen.
Wie wird es montiert und an der Hardware angeschlossen?
Das Gerät wird in einem TO-247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung mit drei Stiften für Standard-Leiterplatten- oder Kühlkörperbefestigung geliefert.
Welche Art von Kanal und Leitungsmodus wird verwendet?
Es verwendet einen N-Typ-Kanal, der im Enhancement-Modus arbeitet und einen positiven Gate-Antrieb zur Leitung erfordert.
Gibt es spezifische Zulassungsstandards für diese Komponente?
Er erfüllt die RoHS-Anforderungen, was auf die Beschränkung bestimmter gefährlicher Stoffe hinweist.
Verwandte Links
- Vishay SIHG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay SIHG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay E Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 88 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin TO-263
- Vishay SIHP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 179 W, 3-Pin TO-247AC