Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 169-5791
Herst. Teile-Nr.:: SIHG20N50E-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247AC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 169-5791
Herst. Teile-Nr.:: SIHG20N50E-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	19A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	500V
	Gehäusegröße	TO-247AC
	Serie	E
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	184mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	179W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	46nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	15.87mm
	Höhe	20.82mm
	Breite	5.31mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 500V
	Gehäusegröße TO-247AC
	Serie E
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 184mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 179W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 15.87mm
	Höhe 20.82mm
	Breite 5.31mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 500 V Drain-Source-Spannung, 19 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHG20N50E-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlung in industriellen und elektrischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet im Enhancement-Modus und wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, wodurch es sich für Baugruppen eignet, die eine robuste Montage und ein einfaches Wärmemanagement erfordern. Das Gerät unterstützt eine hohe Drain-Source-Spannung und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Leistungsaufnahme und Gate-Antriebsfähigkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 500 V max. Vds ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastverarbeitung
• 184 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 46 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 179 W für hohe thermische Belastung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V für breite Gate-Drive-Kompatibilität

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in Stromversorgungssystemen
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit Stromversorgungen für Telekommunikations- und Infrastrukturgeräte verwendet
• Kann für hart schaltende Topologien in Wechselrichtern verwendet werden
• Geeignet für Labor- und Prototyping-Stromversorgungsdesigns mit Durchgangsbohrung

In welchem Temperaturbereich kann es zuverlässig arbeiten?

Das Gerät ist für eine minimale Umgebungstemperatur von -55 °C und eine maximale Betriebstemperatur von 150 °C ausgelegt und eignet sich für eine Vielzahl von Umgebungsbedingungen.

Wie unterstützt das Gehäuse die Montage und die Wärmeentfernung?

Das TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung bietet einen großen Flachsteckerbereich für die Kühlung und sichere Leiterplatten- oder Chassismontage, um das Wärmemanagement in Anwendungen mit hoher Verlustleistung zu erleichtern.

Welche Gate-Drive-Grenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?

Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, um Gate-Oxidbelastungen zu vermeiden, und die Entwickler sollten den Treiber so dimensionieren, dass er die typische Gate-Ladung von 46 nC für eine kontrollierte Schaltung bewältigen kann.

Gibt es Überlegungen für Schaltverluste mit diesem Gerät?

Bei der Berechnung der Gesamtschaltenergie sollten Entwickler sowohl den Leitungsverlust von 184 mΩ im eingeschalteten Zustand als auch die dynamischen Verluste im Zusammenhang mit der Gate-Ladung von 46 nC berücksichtigen.