Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 121-9656
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG20N50E-GE3
- Marke:
- Vishay
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| 100 - 198 | CHF.3.303 | CHF.6.61 |
| 200 - 498 | CHF.3.111 | CHF.6.22 |
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- 121-9656
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG20N50E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.82mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor
Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS).
Merkmale
Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Niedriger Widerstand (RDS(ein))
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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