Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 121-9656
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG20N50E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 121-9656
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG20N50E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 184mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5.31mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 184mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 20.82mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5.31mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 500 V Drain-Source-Spannung, 19 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHG20N50E-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlung in industriellen und elektrischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet im Enhancement-Modus und wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, wodurch es sich für Baugruppen eignet, die eine robuste Montage und ein einfaches Wärmemanagement erfordern. Das Gerät unterstützt eine hohe Drain-Source-Spannung und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Leistungsaufnahme und Gate-Antriebsfähigkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 500 V max. Vds ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastverarbeitung
• 184 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 46 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 179 W für hohe thermische Belastung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V für breite Gate-Drive-Kompatibilität
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastverarbeitung
• 184 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 46 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 179 W für hohe thermische Belastung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V für breite Gate-Drive-Kompatibilität
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in Stromversorgungssystemen
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit Stromversorgungen für Telekommunikations- und Infrastrukturgeräte verwendet
• Kann für hart schaltende Topologien in Wechselrichtern verwendet werden
• Geeignet für Labor- und Prototyping-Stromversorgungsdesigns mit Durchgangsbohrung
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit Stromversorgungen für Telekommunikations- und Infrastrukturgeräte verwendet
• Kann für hart schaltende Topologien in Wechselrichtern verwendet werden
• Geeignet für Labor- und Prototyping-Stromversorgungsdesigns mit Durchgangsbohrung
In welchem Temperaturbereich kann es zuverlässig arbeiten?
Das Gerät ist für eine minimale Umgebungstemperatur von -55 °C und eine maximale Betriebstemperatur von 150 °C ausgelegt und eignet sich für eine Vielzahl von Umgebungsbedingungen.
Wie unterstützt das Gehäuse die Montage und die Wärmeentfernung?
Das TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung bietet einen großen Flachsteckerbereich für die Kühlung und sichere Leiterplatten- oder Chassismontage, um das Wärmemanagement in Anwendungen mit hoher Verlustleistung zu erleichtern.
Welche Gate-Drive-Grenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, um Gate-Oxidbelastungen zu vermeiden, und die Entwickler sollten den Treiber so dimensionieren, dass er die typische Gate-Ladung von 46 nC für eine kontrollierte Schaltung bewältigen kann.
Gibt es Überlegungen für Schaltverluste mit diesem Gerät?
Bei der Berechnung der Gesamtschaltenergie sollten Entwickler sowohl den Leitungsverlust von 184 mΩ im eingeschalteten Zustand als auch die dynamischen Verluste im Zusammenhang mit der Gate-Ladung von 46 nC berücksichtigen.
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