Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 16.3 A 179 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 228-2867
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG21N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*
CHF.65.40
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.2.616 | CHF.65.45 |
| 50 - 100 | CHF.2.464 | CHF.61.51 |
| 125 - 225 | CHF.2.222 | CHF.55.63 |
| 250 + | CHF.2.091 | CHF.52.37 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2867
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG21N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 16.3 A 179 W, 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 15 A 179 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 165.3 A 179 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 179 W, 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-247
- Vishay SiHG22N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-263