Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 16.3 A 179 W, 3-Pin SIHG21N80AEF-GE3 TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.8.632

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.4.316CHF.8.63
20 - 98CHF.3.665CHF.7.33
100 - 198CHF.3.203CHF.6.41
200 - 498CHF.2.625CHF.5.25
500 +CHF.2.121CHF.4.23

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2868
Herst. Teile-Nr.:
SIHG21N80AEF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

850V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

E

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

250mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verwandte Links