Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 21 A 208 W, 3-Pin SIHG24N80AE-GE3 TO-247

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228-2870
Herst. Teile-Nr.:
SIHG24N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

850V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

E

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

184mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

59nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

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